| Aplicaciones y propiedades | Ventajas del plasma a baja presión | Desventajas del plasma a baja presión | Ventajas del plasma a presión atmosférica | Desventajas del plasma a presión atmosférica | Ventajas de la corona de plasma atmosférico | Desventajas de la corona de plasma atmosférico |
| Generación de plasma en general | El plasma se distribuye uniformemente en una cámara de plasma. El volumen de la cámara varía de 2 a 12.000 litros | Técnica de vacío compleja. Las aplicaciones en línea del tratamiento con plasma son limitadas. | El tratamiento con plasma se puede realizar directamente en la cinta transportadora. Apto para trabajo en línea. No se necesita tecnología de vacío | Vía de tratamiento con plasma limitada por el principio de excitación del plasma (aprox. 8-12 mm). Para el tratamiento de objetos de mayor tamaño se deben utilizar varias boquillas. | El tratamiento con plasma se puede realizar directamente en la cinta transportadora. Apto para trabajo en línea. No se necesita tecnología de vacío. El ancho de tratamiento es de unos 60 mm. | Solo apto para sustancias no conductoras. Velocidad de tratamiento relativamente baja en comparación con el plasma a presión atmosférica |
| Tratamiento de metales | La limpieza con plasma de objetos sensibles a la oxidación es posible (p. ej.: H2 como gas de proceso) | La excitación por microondas permite acoplar la energía al objeto. Esto provoca un sobrecalentamiento del objeto. En el plasma de kHz no se observa el sobrecalentamiento | En el tratamiento con plasma del aluminio se pueden generar capas muy delgadas de óxido (pasivación) | La limpieza con plasma de objetos sensibles a la oxidación está limitada | | No es posible |
| Tratamiento de polímeros/elastómeros | La activación con plasma de PTFE es posible (proceso de mordentado). Se han desarrollado buenos procesos de plasma para juntas de elastómeros y PTFE, y se están utilizando | Algunos materiales (p. ej. silicona) necesitan bombas más grandes, para lograr la presión necesaria para el proceso | El tratamiento previo de objetos «sin fin» es posible (p. ej.: mangueras, cables, etc.) Muy breve tiempo de proceso | El chorro de plasma tiene una temperatura de aprox. 200 - 300 °C. Los parámetros de proceso se deben adaptar correctamente a la superficie para evitar que se queme (materiales delgados) | El tratamiento previo de objetos «sin fin» y anchos (de hasta aprox. 60 mm) es posible | Velocidad de tratamiento relativamente baja en comparación con el plasma a presión atmosférica. La uniformidad del tratamiento y la energía de la superficie son algo menores en comparación con el plasma a baja presión y a presión atmosférica |
| Objetos 3D | Todos los objetos de la cámara de plasma se tratan igual. También las cavidades se pueden tratar desde el interior (p. ej.: bobinas de encendido, tanques de agua, etc.) | Desconocido | El tratamiento local de superficies es posible (p. ej.: ranuras adhesivas) | Se necesita una tecnología robótica articulada compleja. La penetración del plasma a presión atmosférica en los huecos es limitada | Solo apto con condiciones | Se necesita una tecnología robótica articulada compleja. La penetración de la corona de plasma en los huecos es limitada |
| Elementos de materiales a granel | El procedimiento del tambor giratorio permite un tratamiento con plasma uniforme de los materiales a granel. La cantidad de elementos y el volumen de las piezas puede ser variable | Solo se puede utilizar 1/3 del volumen del tambor giratorio (recomendación) | Los objetos se pueden tratar directamente en la cinta transportadora | Los objetos deben posicionarse con precisión en la cinta transportadora | Es posible el tratamiento de los elementos de un material a granel con un tambor giratorio. Las piezas se pueden tratar también directamente en la cinta transportadora (tridimensional) | Escasa intensidad de tratamiento en comparación con el plasma a baja presión |
| Electrónica/tecnología de semiconductores | El tratamiento con plasma de componentes electrónicos, tarjetas de circuitos impresos y piezas de semiconductores mediante plasma a baja presión forma parte del estado actual de la técnica. | Desconocido | | El tratamiento previo con plasma de contactos metálicos o ITO puede realizarse inmediatamente antes del proceso de unión (p. ej. fabricación de LCD, TFT y chips) | Una elevada temperatura del chorro de plasma y una capacidad de penetración limitada de los huecos puede restringir las aplicaciones del plasma a presión atmosférica en la industria electrónica | No apropiado debido a potencial alta tensión |
| Procesos de recubrimiento | Generación de capas uniformes. Se desarrollan y aplican muchos procesos de PECVD y PVD | La cámara de plasma se puede ensuciar | Existen muchas aplicaciones industriales en uso | Todavía no existen aplicaciones industriales en uso | | Todavía no existen aplicaciones industriales en uso |
