L'acronyme 'CDE' = 'Chemical dry etching', ce procédé fait référence à la forme de gravure chimique par plasma la plus simple, la moins élaborée. Habituellement, les désignations ' plasma etching'="gravure plasma" ou 'Chemical etching'= "Gravure chimique" se rapportent à ce même procédé de gravure.
La gravure chimique par voie sèche par un plasma à basse pression est causée par des réactions chimiques des espèces actives (radicaux, atomes excités) et des ions avec les molécules de surface du substrat. Le gaz de processus doit être soigneusement sélectionné afin d'engendrer les réactions souhaitées (Gravure sélective). Le processus CDE est isotrope (multidirectionnel).