L'élimination de matériau d'un substrat est causé par réaction chimique.
L'agent réactif peut être une liquide d'attaque tel que acide ou solvant.
Chemical Dry Etching (CDE) ou l'attaque chimique par voie sèche est causée par les espèces réactives du plasma dans un procédé sous phase gazeuse par réaction avec les espèces de la surface.
Les gaz de procédé doivent être sélectionnés avec attention suivant les spécificités du substrat et du procédé (gravure sélective). L'attaque chimique est isotrope (non orienté).
