Le procédé CVD acronyme de 'Chemical Vapor Deposition' autrement dit Déposition Chimique en phase Vapeur, est un procédé à déposition de revêtements solides sur les surfaces par réaction chimique à partir de composés gazeux.
La réaction a lieu à la surface du substrat. Pour initier la réaction, le substrat doit être porté à haute température. Beaucoup de substrats, tels que les matières plastiques, ne présentent pas une stabilité thermique suffisante pour être traités par ce procédé.
Pour éviter l'imposition au substrat de ces températures élevées des alternatives à ce procédé de déposition ont été développés, où la réaction chimique à lieu loin de la surface, tandis que ce sont les produits de la réaction qui se déposent sur un substrat relativement froid.
Une autre alternative est l'apport de l'énergie nécessaire à la réaction par le biais d'un plasma sous vide. Ce procédé est connu sous l'acronyme de PECVD pour 'Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition' ou PACVD 'Plasma Activated Chemical Vapour Deposition' soit en Français Déposition Chimique en Phase Vapeur Assistée par Plasma.
Les applications majeures des procédés de CVD sont la déposition de couches fines de carbone amorphe et de silicium ainsi que Nitrures de Titane - Carbures de titane - et Nitrures de Silicium.