Disposition d'éléments électroniques complexes dans un élément semi-conducteur unique.
Par modification locale du semi-conducteur, et plus particulièrement par dopage, différentes fonctions électroniques locales peuvent être intégrées dans différents zones du semi-conducteur.
Avec les procédés de photolithographie, de gravure plasma, des circuits locaux peuvent être créés pour assurer la communication entre les éléments électroniques locaux réalisés dans le semi-conducteur. Typiquement, l'épaisseur du support semi-conducteur est au plus de 0,4 mm.