L'implantation ionique est un procédé visant à insérer des atomes externes dans la masse d'un autre matériau pour en modifier les caractéristiques. En générale, l'implantation ionique est une méthode de dopage des semi-conducteurs avec des atomes extrinsèques. Dans le cas du dopage des semi-conducteurs, il est habituel de distinguer les donneurs et les accepteurs.
Les donneurs sont les atomes extrinsèques, implantés dans le cristal du semi-conducteurs qui sont caractérisés par une valence électronique plus élevée que les atomes du semi-conducteur. Cet électron supplémentaire est un électron libre pouvant se déplacer dans le cristal, il transporte ainsi le courant électrique.
Les accepteurs sont les atomes extrinsèques, implantés dans le cristal du semi-conducteur, possédant une valence inférieure de manière à assurer une position libre pour les électrons dans le réseau cristallin.
Les ions implantés sont accélérés par un champ électrique et en direction de la surface du semi-conducteur qu'ils impactent.
Le matériau des semi-conducteurs le plus couramment utilisé est le silicium, les atomes donneurs peuvent être le Phosphore, l'Antimoine, l'Arsenic ou le Bismuth, les atomes accepteurs, le Bore, l'Aluminium, l'Indium ou le Gallium.