1. Quel est le principe du 'Etching', la gravure plasma?
Dans le cas de la gravure plasma (connu en anglais sous le terme de ‘Etching’), les gaz de procédé sont choisis de manière à attaquer la surface du substrat, et conduire à la conversion de la surface du matériau de base à graver en composés volatiles. Le gaz chargé de ces composés volatiles issus du matériau de base est pompé en permanence tandis que des gaz de traitement ‘frais’ sont injectés dans la chambre. L’attaque de la surface est ainsi continue. Des systèmes de masquage résistants au plasma (par ex. à base de chrome) peuvent être utilisés pour protéger les zones contre le gaz de procédé. De cette manière, une surface peut être attaquée localement de façon ciblée, et permettre ainsi sa structuration. L’échelle de la structuration est nanométrique.