Etching chimico a secco. CDE è un'abbreviazione comune per il processo di etching chimico al plasma, che è indicato anche come "etching chimico" o brevemente "etching al plasma".
L'etching chimico a secco avviene nelplasmadalla reazione di specie attive (atomi,radicali,ioni) eccitati con le molecole di substrato. Il gas di processodeve essere abbinato al substrato (attacco selettivo), l'incisione è non direzionale (isotropa).