Deep Reactive Ion Etching.
Etching ionico anisotropo reattivo in silicio con profondità di etching fino a 100µm. Un allungamento estremamente elevato si ottiene attraverso la passivazione delle pareti.
Deep Reactive Ion Etching.
Etching ionico anisotropo reattivo in silicio con profondità di etching fino a 100µm. Un allungamento estremamente elevato si ottiene attraverso la passivazione delle pareti.