Deep Reactive Ion Etching.
Anisotropes Reaktives Ionenätzen in Silizium mit Ätztiefen bis 100µm. Ein extrem hohes Aspektverhältnis wird erreicht durch Passivierung der Grabenwände.
Deep Reactive Ion Etching.
Anisotropes Reaktives Ionenätzen in Silizium mit Ätztiefen bis 100µm. Ein extrem hohes Aspektverhältnis wird erreicht durch Passivierung der Grabenwände.