| 应用用途和特性 | 低压等离子体的优点 | 低压等离子体的缺点 | 常压等离子体的优点 | 常压等离子体的缺点 | 常压等离子体电晕的优点 | 常压等离子体电晕的缺点 |
| 普通的等离子体生成 | 在等离子体腔室中均匀分布等离子体。腔室体积可变，从 2 升至 12,000 升 | 复杂的真空技术。在线等离子处理应用受到一定的限制 | 可以直接在输送带上进行等离子处理。适用于在线处理。无需任何真空技术 | 由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限（约 8-12 mm）。处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴 | 可以直接在输送带上进行等离子处理。适用于在线处理。无需任何真空技术。等离子处理宽度为约 60 mm | 仅适用于非导电性基材。较之于常压等离子体，处理速度相对较低 |
| 对金属进行处理 | 可对易氧化的对象进行等离子清洗（例如，H2 作为工艺气体） | 进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量。这会造成对象过热。使用 kHz 等离子体的时候，可以观察到未发生任何过热现象 | 对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层（钝化） | 对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制 | | 不可能 |
| 对聚合物/弹性体进行处理 | 无法对 PTFE 进行等离子活化处理（蚀刻工艺）。为弹性密封件和 PTFE 密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用 | 某些材料（例如，有机硅）需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力 | 无法对连续型对象进行预处理（例如，软管、电缆等）。工艺时间很短 | 等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料） | 可以对“连续型”和较宽（可达到约 60 mm）的对象进行预处理 | 较之于常压等离子体，处理速度相对较低。较之于常压和低压等离子体，处理均匀性和表面能量稍低 |
| 3 D 对象 | 对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等） | 未知 | 可进行局部表面处理（例如，粘结槽口） | 需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制 | 仅在某些条件下具有适用性 | 需要使用复杂的多关节型机器人技术。电晕等离子体的间隙渗透性受到很大的限制 |
| 散装部件 | 通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同 | 其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议） | 可以直接在输送带上处理对象 | 对象必须极为精确的定位在输送带上 | 结合使用转鼓，可以对散装部件进行处理。可直接在输送带上对部件进行处理（3 维） | 较之于低压等离子体，处理强度较低 |
| 电子/半导体技术 | 借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是最先进的技术。 | 未知 | | 金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产） | 等离子体射流温度升高和有限的间隙渗透性可能对常压等离子体在电子行业中的应用造成了限制 | 由于具有高电压电位，故此不适用 |
| 涂层工艺 | 生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用 | 可能会造成等离子体腔室的污染 | 具有很多的工业用途 | 尚不具有任何的工业用途 | | 尚不具有任何的工业用途 |
